本文標(biāo)題："電子顯微鏡雙極硅集成電路的主要電路元件"

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電子顯微鏡雙極硅集成電路的主要電路元件

    硅的類型和雜質(zhì)濃度是由基片的類型或以后的處理方式所決
定的。圖上并表示一個(gè)雙極硅集成電路的主要電路元件:晶休管，
電阻和二極管。集成電路的全部制造過(guò)程就是:怎樣產(chǎn)生這些不
詞的區(qū)域、元件的電路連接、電路測(cè)試以及為機(jī)械和環(huán)境保護(hù)提供
管芯封裝。
    一般工藝過(guò)程—硅集成電路
    為了產(chǎn)生所需要的n型或P型區(qū)域，芯片區(qū)要用適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)
進(jìn)行有選擇的摻雜:(1)在硅片上生長(zhǎng)一層均勻的氧化物;(2)用光
刻工藝在氧化層開窗口;(3)將適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)擴(kuò)散到曝露的硅內(nèi)(氧
化物防止了它下面的硅摻雜);(4)生長(zhǎng)一層新的氧化物。如圖1-5
所示，每制造一個(gè)硅集成電路，上述過(guò)程要重復(fù)進(jìn)行6次。再經(jīng)過(guò)
一道工序，刻在氧化物中的圖形就在硅內(nèi)明顯下凹，然后用它來(lái)對(duì)
準(zhǔn)下一個(gè)圖形。硅的摻雜層也可以通過(guò)所謂“外延”，過(guò)程生長(zhǎng)在硅
片上。下而就每一道基本工序作一簡(jiǎn)單敘述，
    硅片制備硅集成電路制造中用的硅片，直徑達(dá)1.5-3.0英
寸，厚度為0.010英寸，這是一種對(duì)特定平面經(jīng)過(guò)仔細(xì)定向，十分
理想的單晶硅。為了得到這種單晶硅，要將硅經(jīng)過(guò)氣態(tài)反應(yīng)的精
煉，使其雜質(zhì)含量小于1x10-9。然后使它熔化并加入含量為
1 x 10-8的硼。后，用經(jīng)過(guò)嚴(yán)格定向的種晶，從這一熔液中拉出
單品硅錠。拉出的硅錠具有均勻的直徑，長(zhǎng)達(dá)20英寸。接著把它
切割成厚約0.02英寸的薄片，并用化學(xué)和機(jī)械相結(jié)合的方法將其
一個(gè)面研磨，并進(jìn)行拋光，達(dá)到鏡面光沽度，終得到0.010英寸
的厚度。

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