本文標題："三次元工具顯微鏡量測試片的金線接合跨距"

半導體封裝金線幾何形狀對金線高溫偏移勁度之影響

隨著半導體積體電路技術的發(fā)展，近年來電子元件形式朝著輕、薄、短、小及多弁? 演進，然而想要擠進為數眾多內引腳增加電路密度，

一定使得金線接合封裝中金線與金線的間距更加緊密，所以在IC封裝制程中，即使是微小的金線偏移量都會發(fā)生金線相接觸的情形，

因此如何能有效抑制金線偏移 (Wire Sweep)過大將是IC封裝中重要的問題，但大部份金線偏移分析論文都著重于晶片封裝模流分析，

對于高溫半導體封裝金線幾何形狀對金線偏移之影響尚未非常明瞭。

本研究是探討半導體封裝金線幾何形狀對金線高溫偏移勁度之影響，首先以三次元工具顯微鏡量測試片的金線接合跨距、

金線接合高度的座標值。然后在金線幾何形狀偏移實驗中，固定金線直徑(Wire Diameter )、金線接合高度( Bond Height )，

配合四種不同的封裝環(huán)境溫度以及四種金線接合跨距(Bond Span)，并藉由高溫爐及微金線偏移試驗機進行金線高溫偏移實驗，

以量測金線于IC封裝時，受高溫模流拖曳力所產生的橫向位移偏移勁度值。

將所得金線實驗數據值與龔氏方程式預測值(Kung’s Equation)的結果進行比較，

以瞭解橢圓型金線在不同溫度及金線接合參數下的金線拖曳力及橫向位移偏移大小。

以提供未來金線偏移設計分析者，對采用何種封裝環(huán)境溫度、金線直徑、金線接合參數與接合幾何形狀下

，所能承受大金線拖曳力及橫向位移能有所預測與依循。

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