本文標題："提升因IC薄化與多角化后很易于封裝"

半導體封裝多以轉(zhuǎn)注成型將樹脂擠入模穴內(nèi)。充填過程中流動樹脂會對金線產(chǎn)生

拖曳力而導致金線偏移，甚至互相接觸，是造成缺限的一大隱憂。隨著IC薄化和

多腳化的趨勢，此問題益加的重要，是一個及需要

克服的難題。目前研究多暫略金線存在，或簡化為二維，

針對三維金線，設計加裝透明觀察窗之轉(zhuǎn)注成型模，攝影記錄樹脂在模穴內(nèi)的充填

過程，并改變金線端點相對高度、膠口位置等變因，做一系列的流動觀察

以數(shù)值分析預測金線偏移，并以量測驗的結(jié)果印證。

究觀察發(fā)現(xiàn)，三維金線的存在會對流場產(chǎn)生相當?shù)挠绊懀鹁€數(shù)目越多，

影響越大。數(shù)值流場分析忽略金線的存在，會造成誤差。

金線偏移量會隨著雷諾數(shù)增大而增加，對正方形模穴而言，澆口位置在邊的交角

比澆口在

邊長中央可得到較小的金線偏移。金線一端上置型模座較兩端平置型偏移量小。

同時探討在轉(zhuǎn)注成型的制程加上壓縮步驟的果效，試以

改良目前傳統(tǒng)轉(zhuǎn)注成型，提升因IC薄化與多角化后之可封裝性所產(chǎn)生的封

裝問題。實驗發(fā)現(xiàn)在極慢壓縮速度，金線偏移確實大幅減小。

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提升因IC薄化與多角化后很易于封裝,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應