本文標(biāo)題："關(guān)于蝕刻法針對(duì)不同晶面材料研究?jī)?yōu)缺點(diǎn)"

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關(guān)于蝕刻法針對(duì)不同晶面材料研究?jī)?yōu)缺點(diǎn)

    首先把半導(dǎo)體材料錠鋸成片，然后研磨、拋光到預(yù)定的厚度。
但這樣處理會(huì)產(chǎn)生被損傷的表面材料層，其性質(zhì)一與原材料大不相
同。因此，要用化學(xué)蝕刻去掉一定深度的表層，以便消除機(jī)械損
傷。
    雖然表面經(jīng)過(guò)如此制備，而單晶依然有不少缺陷，所以，片面
強(qiáng)調(diào)蝕刻工序是不完整的。表面不是原子級(jí)光滑而，而是有一定
微量粗糙度，從而影響外延沉積層的完整性。實(shí)踐證明:半導(dǎo)體的
不同晶面(其它材料也一樣)會(huì)呈現(xiàn)不同的蝕刻速度與氧化速度。
    此外，蝕刻法易使表面污染到原來(lái)的程度。這種雜質(zhì)和表面
缺陷在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生巨大的電效應(yīng)。

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