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本實(shí)驗(yàn)利用射頻磁控濺鍍(r.f. magnetron sputtering)系統(tǒng)來沉積氧化鋅(ZnO)薄膜于銅基板上，

(1)、離子束濺鍍(Ion Beam Sputtering IBS) (2)、無電鍍(Electroless Plating)兩種方式來制備于矽晶片上，濺鍍條件中固定射頻功率、工作壓力、

靶材與基板之距離，改變O2/Ar流量比與基板溫度以探討制程參數(shù)對(duì)所沉積的ZnO薄膜之結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的影響。經(jīng)由X-Ray、SEM、TEM、SIMS等儀器分析結(jié)果顯示，在ZnO/IBSCu/Ti/Si方面，ZnO薄膜的C軸優(yōu)選取向(002)面之峰值強(qiáng)度隨著O2/Ar流量比與基板溫度的增加而增加，到達(dá)一佳條件后，反而下降，而此一佳條件為O2/Ar流量比為0.3、基板溫度300℃。

另外在ZnO/無電鍍Cu/Ti/Si方面，在基板不加熱時(shí)所沉積出之ZnO薄膜的(002)面峰值強(qiáng)度比ZnO/IBSCu/Ti/Si來得高，

因?yàn)橐詿o電鍍方式所制備之銅基板具有更好的結(jié)晶性，而影響了ZnO薄膜的結(jié)晶方向性；而隨著基板溫度升高，ZnO薄膜的(002)面峰值強(qiáng)度卻反而下降，

主要是因?yàn)樵诖藶R鍍條件之下，所沉積的ZnO薄膜具有鬚晶(whisker)的結(jié)構(gòu)，致使ZnO薄膜表面不夠緻密、亦影響了結(jié)晶方向性。

此外，本實(shí)驗(yàn)針對(duì)O2/Ar流量比與基板溫度的不同對(duì)薄膜的表面型態(tài)、半高寬、結(jié)晶方向性、晶粒大小與界面之?dāng)U散等影響，作了深入之探討。

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